摘要：
東莞中科華芯半導體科技有限公司斬獲天使輪融資，由松禾資本獨家投資，金額達數千萬元。公司核心團隊來自中科院半導體研究所，專注于第三代半導體碳化硅（SiC）襯底材料研發，其自主開發的8英寸SiC襯底晶體缺陷密度低于0.5個/cm2，達到國際先進水平，已通過某頭部功率器件廠商的驗證測試。融資資金將用于建設年產2萬片的8英寸SiC襯底中試線，預計2025年Q2投產，同時加速12英寸襯底的技術攻關。公司計劃與東莞松山湖半導體產業園合作，搭建“研發-生產-應用”產業鏈生態，目標三年內實現SiC襯底國產化替代率提升至15%，打破海外企業壟斷格局。（證券之星）
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